10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16Gb DDR4 DRAM。贴片机，标签飞达，标签供料器，这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

与第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，贴片机，标签飞达，标签供料器，并且可以在不适用超高价的EUV曝光工艺的情况下进行生产，结果具有成本竞争力。

同时，SK海力士计划将第三代10nm级技术扩展到各种应用，例如下一代移动LPDDR5和HBM3。HBM是一种高性能产品，使用TSV技术作为高带宽存储器，比传统DRAM数据处理速度更快。